SiC研磨最前線
各種デバイスの高出力化・小型化において、半導体そのものの高性能化が重要に求められてきています。そこで活躍するのが、次世代半導体材料炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）です。SiCは電気自動車用途に採用が拡大しており、爆発的に市場が拡大しています。SiCウェハ―のトップメーカーは弊社ピュアオンの製品を採用してワイヤーソー・研削・研磨・CMP工程を実行しています。
インゴットの切断
ダイヤモンドスラリーを使う方法が現在主流であり、弊社の水性ダイヤモンドスラリー(WSG)が欧州の装置メーカー様等に非常に好評をいただいています。水性品のメリットとしては、油性品よりも環境負荷が低いことがあげられます。そもそも脱炭素の一貫としても採用が進む製品であるSiCに対して、環境負荷の高いプロセスを継続することは今後ますます難しくなるものと思います。
ウェハー切断後の研磨
①ビトリファイドダイヤモンド砥石による手法 ②ダイヤモンドスラリーと各種パッドによる手法のどちらにも弊社のダイヤモンド製品が使用されています。今後、手法①と②のどちらが主流なっていくかは、関連業界では重要な関心事です。
CMP工程
弊社のアメリカ工場のCMPスラリーとパッド等が幅広く使われています。今後こちらの製品の詳細をご紹介していきます。今しばらくお待ちください。